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用于研發(fā)和實驗室設備
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SMW200A羅德與施瓦茨SMW200A 矢量信號發(fā)生器




羅德與施瓦茨SMW200A 矢量信號發(fā)生器
產(chǎn)品簡介
| 品牌 | R&S/羅德與施瓦茨 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
|---|
羅德與施瓦茨SMW200A 矢量信號發(fā)生器主要特點
滿足您的所有要求
簡化設置
將現(xiàn)實帶到實驗室
優(yōu)化設備
加快開發(fā)
根據(jù)您的需求不斷改進
羅德與施瓦茨SMW200A 矢量信號發(fā)生器規(guī)格
| 頻率 | ||
| 頻率范圍,射頻通道 A | R&S®SMW-B103 | 100 kHz 至 3 GHz |
| R&S®SMW-B106 | 100 kHz 至 6 GHz | |
| R&S®SMW-B112 | 100 kHz 至 12.75 GHz | |
| R&S®SMW-B120 | 100 kHz 至 20 GHz | |
| R&S®SMW-B131 | 100 kHz 至 31.8 GHz | |
| R&S®SMW-B140/-B140N | 100 kHz 至 40 GHz | |
| 頻率范圍,射頻通道 B(可選,詳見 R&S®SMW200A 數(shù)據(jù)表了解可能的射頻通道配置) | R&S®SMW-B203 | 100 kHz 至 3 GHz |
| R&S®SMW-B206 | 100 kHz 至 6 GHz | |
| R&S®SMW-B212 | 100 kHz 至 12.75 GHz | |
| R&S®SMW-B220 | 100 kHz 至 20 GHz | |
| 設置時間 | SCPI 模式 | < 1.2 ms,600 μs(典型值) |
| 電平 | ||
| 電平范圍 | 3 MHz ≤ f < 20 GHz | –120 dBm 至 +18 dBm (PEP) |
| R&S®SMW-B131,R&S®SMW-B140/-B140N | –120 dBm 至 +15/+18 dBm (PEP),取決于射頻 | |
| 設置時間 | SCPI 模式 | < 1 ms,600 μs(典型值) |
| R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B140N/-B220,帶機械步進衰減器轉(zhuǎn)換 | < 25 ms | |
| 頻譜純度 | ||
| 諧波 | 電平 < 10 dBm,CW | < –30 dBc |
| R&S®SMW-B120/-B131/-B140/-B140N/-B220, f >3.5 GHz | < –55 dBc | |
| 非諧波 | 具有全量程直流輸出的 CW 或矢量調(diào)制,電平 > –10 dBm, 載波偏移 > 10 kHz,200 MHz < f ≤ 1500 MHz | |
| 標準 | < –80 dBc | |
| 帶 R&S®SMW-B22 選件 | < –90 dBc | |
| SSB 相位噪聲 | CW,載波偏移 = 20 kHz,f = 1 GHz | |
| 標準 | < –131 dBc,–135 dBc | |
| 帶 R&S®SMW-B22 選件 | < –136 dBc,–139 dBc | |
| CW,載波偏移 = 20 kHz,f = 10 GHz | ||
| 標準 | < –111 dBc,–115 dBc | |
| 帶 R&S®SMW-B22 選件 | < –116 dBc,–119 dBc | |
| 模擬調(diào)制 | ||
| 支持的模擬調(diào)制模式 | AM,F(xiàn)M(可選),φM(可選),脈沖(可選) | |
| I/Q 調(diào)制 | ||
| 射頻調(diào)制帶寬 | 具有內(nèi)部寬帶基帶,“I/Q 寬帶”開 | |
| 300 MHz ≤ f ≤ 2.5 GHz | ±40% 的載波頻率 | |
| f > 2.5 GHz | ±1 GHz | |
| 具有內(nèi)部 標準基帶,“I/Q 寬帶”開,f ≥ 250 MHz | ±80 MHz | |
| 射頻調(diào)制帶寬中的調(diào)制頻率響應 | 具有內(nèi)部寬帶基帶,“I/Q 寬帶”開 | < 1.0 dB,< 0.4 dB(測量值) |
| 寬帶基帶發(fā)生器 | R&S®SMW-B9 選件,最多可安裝 2 個基帶發(fā)生器 | |
| 信號帶寬 | 取決于選件 | 最高 2000 MHz |
| ARB 存儲深度 | 取決于選件 | 最高 2 Gsample |
| 頻率偏移 | 取決于選件 | 最高 -1000 MHz 至 + 1000 MHz |
| 標準基帶發(fā)生器 | R&S®SMW-B10 選件,最多可安裝 2 個基帶發(fā)生器 | |
| 信號帶寬 | 取決于選件 | 最高 160 MHz |
| ARB 存儲深度 | 取決于選件 | 最高 1 Gsample |
| 頻率偏移 | 取決于選件 | 最高 -80 MHz 至 +80 MHz |
| 數(shù)字標準 | ||
| 支持的標準及調(diào)制系統(tǒng) | 5G 候選空中接口、LTE 版本 8/9/10/11,12、3GPP FDD/HSPA/HSPA+、GSM/EDGE/EDGE Evolution、CDMA2000®、1xEV-DO Rev. A/B、 WLAN IEEE 802.11a/b/g/n/j/p/ac/ad、AWGN 等等 | |
| 衰落和 MIMO | ||
| 衰落模擬器 | R&S®SMW-B14 選件,最多可安裝 4 個衰落模塊 | |
| 衰落帶寬 | 最大 160 MHz | |
| 衰落信道 | 取決于選件 | 最多 32 |
| MIMO 衰落場景 | 取決于選件 | 2x2、4x2、2x4、3x3、4x4、8x4、4x8、8x2、2x8、4x2x2 等 |
| 衰落模式 | 取決于選件 | 多通道, 移動延時, 生滅, 高速列車, 雙通道干擾裝置 |
| 衰落剖面圖 | 取決于選件 | Rayleigh、Rice、純多普勒、靜態(tài)通道、高斯等 |